[TLP 테스트 시스템] Pulse Curve Tracer Model4002 / Model 4012

Barth 4002 TLP 펄스 곡선 추적기

Barth 4002 TLP Pulsed Curve Tracer는 실리콘 칩 보호 회로의 ESD 견고성을 정확하게 나타냅니다.
프로그램 된 직사각형 펄스가 테스트중인 장치에 적용되어 전류와 전압의 전산화 된 결과를 얻습니다.
누설 측정은 진폭 대 펄스 전류를 얻기 위해 각 펄스 이후에 수행됩니다.
선택 사양 인 듀얼 웨이퍼 프로브 (Barth Model 45001WP) 인 패키지 장치 테스트를위한 설정으로 웨이퍼 레벨 테스트도 가능합니다.

Barth 45001WP 웨이퍼 프로브 (옵션)

Barth 45001WP 웨이퍼 프로브는 웨이퍼 레벨에서 ESD 보호 I / V 특성의 펄스 테스트를 위해 설계되었습니다.
두 개의 분리 된 바늘과 격리 된 프로브 연결부가있어 서로 독립적으로 위치 할 수 있습니다.
패키지 된 디바이스를 소켓에서 테스트 할 때와 동일한 정확도를 제공하도록 특별히 설계되었습니다.
테스트 할 패드에 연결할 때 교차 바늘의 기계적 문제를 최소화하기 위해 특별히 설계된 일정한 임피던스 역전 스위치를 사용하여 패드에서 TLP 펄스 극성을 쉽게 선택할 수 있습니다.
강한 자성 또는 진공 기반은이 TLP 프로브가 테이블에서 안전한 위치를 유지하면서 쉽게 움직일 수있게합니다.

기능・기능

Model 4002

• 펄스 폭 선택 : 75ns ~ 200ns
• 펄스 전압 : 0 ~ 500V (개방 부하까지), 0 ~ 250V (50Ω 부하까지)
• 펄스 전류 : 0 ~ 5A (50 옴 부하까지), 0 ~ 10A (짧은로드까지)
• 펄스 상승 시간 : 0.2ns, 2ns 및 10ns (일반)
• 각 펄스 이후 누설 전류 측정에 의한 손상 탐지
• 웨이퍼 레벨 테스트 (옵션 모델 45001WP 사용)
• 20A, 30A 및 500ns 폭 옵션 사용 가능

Model 4012 VF-TLP

• 펄스 폭 변수 : 1ns (최소)
• 펄스 전류 : 16A (최대)
• 펄스 상승 시간 : 100ps (min)
• 초고속 응답 스냅 백 측정
• cdm 모드와 같은 초고속 ESD 보호 회로 평가
• 마이크로 웨이브 50ohm 프로브는 웨이퍼 레벨 테스트에 사용 가능